基于第五代BiCS FLASH™ 3D闪存打造；为要求严苛的应用提供更薄的封装和更快的读/写速度

很多采用嵌入式闪存的应用中，除了对功耗和空间敏感之外，仍然需要更高的性能和存储密度，因此，UFS逐渐成为首选解决方案。从总容量的角度来看，与e-MMC相比，UFS占绝大部分的需求。据Forward Insights[3]的调查结果显示，在全球UFS和e-MMC GB的总体需求中，今年UFS的需求量几乎达到了70%，而且这一数字还将继续增长。

新的UFS 256GB和512GB设备包括以下改进：

• 随机读取性能增加约30%，随机写入性能增加约40%。
• Host Performance Booster(HPB)2.0版：利用主机端内存存储部分逻辑物理转换表，从而提高随机读取性能。HPB 1.0版只支持4KB大小地址块的访问，而HPB 2.0版支持更大范围的访问，可进一步提高随机读取性能。
• 更薄的封装，256GB高度仅为0.8毫米。

注
[1] 与铠侠上一代256/512GB UFS相比。
[2] 在256GB存储密度条件下，与铠侠上一代256GB UFS相比。
[3] Forward Insights “NAND Quarterly Insights” 第二季度（2021年）

读写速度可能因主机设备、读写条件和文件大小而有所不同。

在提及铠侠产品时：产品密度是根据产品内存芯片的密度来确定的，而非最终用户可用于数据存储的内存容量。由于存在开销数据区域、格式化信息、坏块和其他限制条件，用户可用容量将会减少，并且还可能因主机设备和应用程序而有所不同。详细信息请参阅适用的产品规格说明。1KB=2^10字节=1,024字节。1Gb=2^30比特=1,073,741,824比特。1GB=2^30字节=1,073,741,824字节。1Tb=2^40比特=1,099,511,627,776比特。